40倍100倍看看芯片内部

美国再次对中国芯步步紧逼!直接掀起国产芯替代潮:加速芯片国产化

【5月15日讯】相信大家都知道,在前一段时间,路透社就曾直接报道:“美国将会进一步打压华为的全球芯片供应链,试图通过切断华为芯片供应的方式,来直接遏制华为5G技术的发展。”而近日,又有媒体正式爆出:“美国将会直接对中芯国际、华虹半导体在内的国产

来个芯片级的拆解,芯片外的树脂封装经过固化后很难通过无损方法去除,某宝上很多卖溶解剂的,但是吧!急性,不想去买那些玩意了,还是用强酸碳化,使用浓硫酸加热后“溶解”掉封装,以前没有通过显微镜观察过芯片里面到底是嘛样,传说中芯片里面金丝比较多,所以来一探究竟。

本次板上面先看看板上面主要有一片ARM芯片,一片flash,一片CPLD,然后背面还有一片RAM芯片,不纠结,工具就几样,很简单,

浓硫酸(非专业人士,请不要模仿,浓硫酸操作要非常注意,另外浓硫酸使用完需要专业危化公司回收处理,没有条件的请不要试,环保很重要)

超声波清洗机,溶解完成后树脂会成粉块,有的粘连会难以清除,所以使用超声波清洗振动会很快清除掉使芯片内容不受损,更加完整

只有生物用透视显微镜,因为这个是透视光源,所以我这边直接观看是没有光源的,需要加反光光源,所以只用了40和100倍观察,400倍,无强光源无法观察,没有带CCD的显微镜,只能用手机通过镜筒拍了。

来一个大致溶解过程,把板子放到烧杯里面,加入浓硫酸就会开始反应,一下子板子就变色了

加热,这个要注意不能连续加热,加热一会儿就停掉,多来几次,反应稍强烈的时候就要关火,否则后果……还有不能太急,浓硫酸比较危险,大量起烟,不停的冒泡,液体也全黑了,

半小时左右就反应完成了,完后用大的不锈钢镊子或是玻璃棒取出板子,PCB板子都变成丝丝的了。芯片也全都脱下来挂在丝上面。直接把板子取出放入到大量的冷水中(废浓酸冷却后按危化废液转入到回收桶中,交专业回收公司处理),使用水冲洗一会儿,洗除硫酸,然后转入到另一个杯子,加入纯水,

使用超声波清洗几分钟,然后冲洗下,芯片基本上就干干净净的出来了。

PCB腐蚀严重,多层板中断都腐蚀到了,所以后面的分析都是基本芯片的体型与封装样式猜的。

开始上镜,首先上场是ARM,

flash区域

RAM区域及引脚的金线,应该是黄金的,这颜色真黄,感觉这都是清朝的黄金呀.

接下来是flash芯片,仿佛工艺有差别,显然的工程制好像小一些,100倍下看不到中间有啥。

好消息:中企芯片又获重大突破,助力中国芯片打破美日韩主导地位

众所周知,为了提高我国芯片自给率,近些年来中企正纷纷加入全球芯片市场的竞争中。据悉,去年9月份中国半导体企业之一的长江存储就已经宣布64层3DNAND正式量产,成为打破美日韩3国垄断全球芯片市场局面的关键。 今年4月份,长江存储又绕过96层3DNAND,直接发

再看RAM,也是规规整整的两大块。引脚金线相比Flash在同样的倍数下可以看得清一点细节,一条一条的,应该就是各种存数据的点吧。

最后就是CPLD了,显然的CPLD的封装做工比其它芯片的都好,为啥呢,因为所有的引脚,金丝线都在,没有一个掉线的,也可能是制程比较大,用的线粗吧,反正还都是连着的,别的都散了,另外可以看得更多的细节,各种门电路加上flash,反正你也猜不出,门在哪里,看看就好。

40倍

100倍

40倍下拍不下芯片的,芯片太大了

ARM芯片 RAM部分 40倍

ARM芯片 RAM部分 100倍

ARM芯片 flash部分 100倍

ARM 芯片功能区域 40倍

ARM 芯片功能区域 100倍

RAM芯片 40倍

RAM芯片 100倍

flash芯片 40倍,两部分

第一次用显微镜观察,细节不多,另外缺强光源,所以倍率也低

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