终结国产存储芯片空白！内存、闪存双双突破，追上三星不再是梦

这些年中国半导体行业迎来最好的时刻，越是被限制，越是能突围。而说起内存、闪存，过去一直被三星等垄断，国产手机不得不依靠海外供应链。尤其是当前华为手机再次遭遇新的发展困境，而国产化尤为重要。

我们常说的内存芯片为DRAM，而闪存芯片为NAND。比如一台智能手机，就得靠这两个协同，一部入门版的iPhone 11就配置了4GB DRAM（运行内存）和 64 GB NAND（闪存）。其他国产手机同样需要。而目前，无论是DRAM还是NAND，国内产品的市场占有率都被列为其它。

好的消息是当前国产内存、闪存双双突破！其中"合肥长鑫+兆易创新"挑战DRAM领域，"长江存储+紫光集团"挑战NAND领域。

先来看看国产DRAM领域，合肥长鑫的牵头人是前中芯国际CEO王宁国，他在中芯国际就职时就主导过代工DRAM。兆易创新主要产品是小众的存储芯片Nor Flash，技术还是有的。在做大DRAM的梦想支持下，合肥长鑫和兆易创新在2017年正式牵手。2019年10月，合肥长鑫发布了量产的19nm工艺、8GB DDR4规格内存条引起了一番好评。

海思芯片危机重重，华为将用高通芯片？华为或已找到“备用方案”

近日有媒体报道消息称，因为华为海思芯片再次被制裁，所以导致了麒麟芯片可能会面临着台积电断供的危机，这样一来，华为在旗舰手机芯片以及5G基站芯片上就会被严重限制。不仅如此，在海思芯片危机重重的情况下，最近又有新消息称，华为与荣耀手机或会因为没有

再来看看NAND领域！这个领域过去基本被三星、东芝、美光公司占领了绝大部分市场，不过国产虽然落后但是已紧跟步伐。长江存储成立7个月后，32层3D NAND测试芯片设计完成，第二年，长江存储实现了64层NAND的流片。就在今年4月，长江存储宣布128层研发成功、通过客户验证。就在今年4月，长江存储宣布128层研发成功、通过客户验证。虽然总体进度上落后三星2年，但是这个追跑速度已经非常大了。

不得不说国产内存、闪存已经取得了不错的成绩，让中国存储看到了希望。而世界存储市场迎来了中国这个重量级玩家，中国手机品牌也将逐步摆脱国外内存的控制。

随着国产存储产业的做大做强，世界局面真的要改变了。考虑到国产内存才几年时间，就基本达到了这个主流水准，已经是相当不错了，另外我想这对于三星来讲，肯定是个坏消息，毕竟三星是DRAM的王者，一旦国产内存实现了从0到1的突破，到1到10就容易了，三星必然受冲击的。