厉害！三星耗资400多亿扩大芯片产能，2021年将量产V-NAND闪存

继美国提出终断其对华为的芯片供应之后，美国更是企图对华为实行更为严格的芯片制裁计划，从芯片的研发与生产等多方面入手，终断其他芯片供应企业与华为的合作之路，为此我们不得不将更多的精力与关注投之于芯片生产之中。

而在国际市场，三星企业乘着华为势弱，正在拼力前进，提升自身的竞争力，有消息称三星将耗资四百多亿扩大芯片的产能，明年实现V-NAND芯片的量产。

准确来说虽然同样是芯片领域，但是三星企业所关注的是存储芯片的发展，这也是三星品牌多年发展占据的优势所在，拥有全球最为先进的存储芯片的研制技术。

​其中NAND闪存芯片作为三星企业近年来推出的一款新产品，在技术上更为先进，其存储的速度，容量以及安全性都有提升，此次三星加大在存储芯片领域的投入，就旨在扩大该芯片的生产规模。

其实早期三星就有扩建工厂，以生产更多的V-NAND芯片的计划，只是出于疫情的特殊情况，这一计划不得不暂且搁置，而进入4月之后，三星终于开始采取行动，正式开启新工厂的建造。

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相信大家都知道，在全球范围内除了三星、Intel等少数芯片巨头能够拥有完整的芯片供应链以外，对于AMD、高通、华为、苹果这些国际知名芯片巨头，它们的芯片几乎都是由台积电所代工生产，将自己设计好的芯片交给相关的芯片代工厂商生产，但自从华为、中兴事件爆

按照三星的相关规划，在2021年的下半年，该企业就将实现生产规模的扩大，实现V-NAND芯片的规模量产，V-NAND芯片也将成为未来存储芯片市场的主导者，广泛应用于各大电子设备之中。

根据当地新闻报道，为了完成新工厂的修建，三星企业为此投入了将近8万亿韩元的资金，用人民币来换算，也达到了四百亿人民币左右，即使是对于三星这一国际知名企业来说，这也是一笔不小的投入，可见三星此次扩建势在必行。

这一举措将再次奠定三星在存储芯片领域的市场地位，成为三星企业的突出优势所在，另外，我们也不排除未来一段时间三星还有进一步的扩建工作，这要综合考虑市场的需求情况来确定。

好了今天就为大家介绍到这里，我们下一期再见！