为让国产芯片弯道超车,北大教授研究20年,成功突破半导体的瓶颈

台积电3nm的阴谋,华为囤的芯片可能白费力气

据台媒报道,台积电正在安装3nm芯片制程产线,该产线预计在2021年投入风险试产,在2020年下半年实现量产。而在此之前,台积电准备给华为定制的5nm芯片也取消了计划,当一切按照计划进行时,这突如其来的变故并不是一个巧合,明眼人都知道,它的幕后黑手其实在

近段时间,美国加大对华为的打压力度一事已经众所周知,表面上看,美国打压的是华为,事实上美国却是想压制中国半导体领域的崛起,从而维护自己在全球半导体行业的主导地位。目前来看,笔者认为如果不想继续受制于人,就只有坚持自研这一条路可以走。

但在被美方限制的情况下,中国科技公司自研芯片难如登天,毕竟连中芯国际想要从ASML处购入一台EUV光刻机,都被某些国家从中阻挠。不过,提升芯片制造技术,并非只有利用高端设备精进工艺这一个方法,改善芯片的原材料,也可以在很大程度上提升芯片的性能。

这一点业内人士想必都有所了解,而中国的科研团队更是未雨绸缪,早在二十年前便开始了这方面的研究,如今终于传来好消息。5月下旬,北大教授团队成功突破了半导体的瓶颈,研究出了一种可以替代提升高纯度硅晶片的半导体材料——碳纳米晶体管,而这一研究成功也登上了国际顶级科学期刊《科学》。

据了解,这一新材料是在性能方面能够超越同等栅长硅基CMOS的晶体管,或纯度超99.9999%的碳纳米管平行阵列。这意味着,此后芯片的原材料可能会由硅基改为碳基,而这类碳基芯片不仅性能更强,而且制作成本低,甚至可以节约30%左右的功耗,实用性远超硅基半导体。

美国不给芯片,我们能自己造吗?一台机器就挡了国内芯片发展脚步

华为品牌作为整个国内智能手机中的“老大”,近几年来,华为公司在商品硬件软件技术性和集成ic自研行业获得了飞跃式发展。就在这时,美国开始眼红,颁布禁令出台以后,对华为乃至整个国产智能手机制造行业都产生了很大的冲击性。 美国这一次禁令毫无疑问是 专

值得注意的是,虽然从硅基芯片的制作工艺方面突破可以提升芯片性能,但如今硅基芯片的制作工艺已经被开发到3nm,2nm几乎是极限。想要继续往下突破,难度比改善芯片的原材料还要大,正因如此,一旦北大教授研究团队的成功能够投入商用,国产芯片将有望实现弯道超车。

此外,据笔者了解,集成电路原材料的创新,一直以来都是全球半导体领域的前沿技术,目前很多国家都在这方面遇到了瓶颈。而中国北大教授团队,则率先打破了这一瓶颈,提前达到了世界领先水平,这也会为国产芯片的弯道超车带来更多的信心和底气。

有了“国家队”的帮助,笔者相信我国半导体领域在不远的将来会冲破西方的技术封锁,而中国半导体企业,也将不再受西方掣肘。

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最详细芯片制造过程,看完就知道有多难,绝不是一台光刻机的事情

芯片,是所有现在科技应用到现实中的基础,作为一个崛起的大国,掌握芯片技术,是一种必需。 不过国际社会,也是“一山不容二虎”,另一个大国,是不会眼睁睁看着另外一大国的崛起的,所以,通过各种手段,限制另一个大国芯片产业的发展,也成了一种必然。 芯