财富报道：清华紫光芯片厂将于今年破土动工

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据日媒报道，清华紫光集团将在今年年底开始建设先前计划的DRAM芯片工厂，因为中国在美国实施制裁的情况下追求减少对海外供应商的依赖的目标。

消息人士称，这家我国主要半导体制造商寻求开始大规模生产用于智能手机和其他设备的动态随机存取存储芯片，时间为2022年。

此举是在中美之间在贸易和其他问题上不断升级的对抗之际进行的。

该工厂将建在重庆。

尽管清华紫光集团尚未透露该厂的年产能或将投资多少，但消息人士称，该公司正在考虑在十年内对其DRAM业务进行总计8000亿元人民币（1100亿美元）的投资。

日本一家子公司最近开始运营，旨在设计DRAM芯片。该子公司将由日本DRAM制造商Elpida Memory的前首席执行官坂本幸夫（Yukio Sakamoto）牵头，它将从其他日本半导体公司中寻找人才。

清华大学联合集团和重庆市政府去年八月就该项目达成了一致。该公司最初的目标是在2019年底开始建设，并在2021年开始批量生产。

国产替代5G系列之射频芯片发展前景

按照专业的解释，射频表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围在300kHz～300GHz之间，是一种高频交流变化电磁波的简称。而射频芯片是指将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形，并通过天线发送出去的一个电子元器件，具体包括RF收发机、功率放大器（PA）

但是延误来了，部分原因是新的冠状病毒爆发。

电信设备巨头华为的子公司海思（HiSilicon）已经发展成为中央处理器，半导体的设计者，而半导体则是智能手机和其他设备的大脑。

在清华紫光集团的领导下，扬子存储技术有限公司（YMTC）已经开始批量生产存储信息的NAND闪存芯片。

但是DRAM没有取得重大进展。

金华集成电路有限公司（JHICC）计划进行价格昂贵的DRAM生产。但由于有关技术和其他事项的法律纠纷，其计划未能通过。

ChangXin Memory Technologies（CXMT）正在大规模生产DRAM芯片，尤其是用于移动设备的DRAM芯片，但据说正面临质量和成本方面的挑战。

如果清华紫光集团要生产具有国际竞争力的DRAM芯片，它将需要美国制造的制造设备。但是，中美日趋激烈的对抗可能会阻碍其获得这种装备的能力。