中国顶级存储芯片制造商将推出首款存储产品

北大教授突破芯片瓶颈,清华教授攻克光刻机难题,国产芯未来可期

虽然华为在美国的压制下,陷入更为艰难的处境,但与此同时中国芯片公司以及国家科研团队却传来诸多好消息,为中国半导体领域注入了新的活力和信心。例如5月,北京大学教授团队成功突破半导体瓶颈,研发出可替代高纯度硅晶片的材料——碳纳米晶体管。 大图模式

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我国最大的存储芯片制造商长江存储科技有限公司(Yangtze Memory Technologies)上周六表示,该公司将在今年下半年推出其首个存储产品系列,并补充称,这些产品将用于从智能手机到云计算服务器的各种电子设备。

“我们将以我们自己的品牌打造一系列广泛的系统存储产品,不仅用于个人计算机,企业存储,云计算解决方案,还用于高端智能手机,安装盒,平板电脑和其他消费电子产品。”长江存储首席技术官程卫华在SEMICON China上的主题演讲中说,SEMICON China是中国最大的半导体展览会。

长江存储科技希望该阵容将有助于挑战三星,Kioxia,SK Hynix和美光等市场领导者,而正值全球最大的两个经济体中美两国在贸易和技术战中脱钩之际。

“我们将在今年下半年开始推出这些产品,”程说,并补充说,该公司的目标是“成为世界领先的集成设备制造商。”

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华为的事情,还是闹大了。 甚至连我妈都来问我,“华为是不是要完蛋了”。 临到了,老太太还问了一个终极命题,“我们内地自己的芯片,到底行不行”。 这让我想起一个号称“央视最牛采访的视频”。 记者:目前为止我们钢铁产能情况怎么样? 马科长:钢铁我们

长江存储科技(Yangtze Memory)成立于2016年,是北京支持的科技企业集团清华紫光(Tsinghua Unigroup)的子公司,是中国首家本土内存芯片制造商。去年年底,该公司开始首次生产64层3D NAND闪存芯片。

今年4月,肩负着在关键内存组件生产上自力更生的雄心的长江存储科技表示,已成功开发出128层3D NAND芯片,并将在年底前开始生产,标志着该公司将大幅缩小与国际竞争对手的技术差距。

芯片的层数越多,开发和生产就越困难,但芯片的成本效益也更高,因为更多的层数可以装在单个芯片上。这些重要的NAND闪存芯片后来被制成各种存储产品,用于电脑、服务器、智能手机、家用电器甚至智能汽车。

上周,该公司在武汉投资240亿美元的工厂二期破土动工,该工厂最终将生产30万片内存晶圆,占目前全球NAND闪存产量的23%以上。

研究公司TrendForce的数据显示,到2021年底,长江存储科技可能生产约8万片晶圆,成为一个强大的市场挑战者。目前,NAND闪存市场仅由六家厂商主导:三星、Kioxia、SK海力士、美光、英特尔和西部数字。

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