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华为带出的中国芯片现状

自从华为在2018年被美国特朗普政府制裁以后，关于“中国芯”的问题就没有消停过。中国芯片到底是怎么样，很多人可能还不太清楚。实际上要说光刻机，中国上个世纪就有了，但是后面不重视，稀土等半导体材料也是“白菜价”卖了不少。

稀土只是一个统称，包括好多种类

到了上个世纪的九十年代，才开始重视，但是起步已经是太晚了。到了21世纪初，两次半导体的产业转移，国内就只能给人打打包装、搞搞组装。而且西方对于半导体设备把控得很严——《瓦森纳协定》。

这就不得不提到张汝京先生，中国半导体之父，上海中芯国际创始人，一个跟台积电创始人张忠谋难为知己难为敌的人。现在的张汝京先生早已离开了中芯国际，不过年逾70的张汝京还是没有放弃，依旧活跃在半导体上游。

左边倪光南院士；右边张汝京

说句实话，中国的芯片现在还是不行，芯片好多种类，手机Soc芯片、数模转换芯片、数字处理芯片、DRAM芯片等等，此外还有架构等等的可编程芯片，太多了。其中入门最简单的应该是逻辑电路，搞一搞DRAM存储芯片。

而事实是，中国的DRAM存储芯片，一直都是被美日韩垄断的，就更被提什么NADA闪存了，被卡得都透不过气来。

“反扑”开始，中国芯片取得突破

这里先给大家普及一下，DRAM存储芯片和NAND闪存有什么区别，最直观的就是，DRAM是用于内存条，NAND是用于硬盘。

DRAM芯片基础电路就是一个晶体管加上一个电容，数据是存储在电容上面的，电容这东西必须要通一通电，要不然数据就会丢失，不过这样是用来做内存是极好的，计算机将数据从存储器调取到内存上，用完了，存回去存储器，然后内存自己清理掉数据——易失性数据；

内存条

经历了华为事件，有一个不得不谈的问题，我国芯片到底多烂

近几年美国一直找各种理由打压华为，导致去年华为事件爆发，从这件事给大家提了一个醒，那就是我们有崛起的梦想，但是也有面临的阻力。因此，如何突破阻力，不是光靠所谓的喊口号，支持华为、华为加油等等，而是实现我们的真正意义上的强大！ 例如，我们一直

而NAND就反过来，它是断电了都不会丢失数据，而且NAND发展得也很快，所用的读写颗粒在不停地更新换代，空间结构也朝着多维进发，现在最新的QLC颗粒，采取3D（三维）的结构。

不过各有各的好处，一般都是工业级的SLC加上QLC搭配，这样容量大，速度也快，不过颗粒的使用寿命可能就差很多，数据结构可以弥补。

最近中国国内就在DRAM和3D NAND flash上取得了突破。这多亏了紫光集团，紫光不仅仅在芯片的安全等级上做到最好，而且目前在重庆的DRAM工厂年底也将动工；尤其是紫光旗下的长江存储在3D NAND flash这三年是取得不小的成绩。

固态硬盘就是一种闪存，里面是一块电路，上面有芯片

2018年研制出了32层的3D NAND flash，弥补了国内的空白，打破美日韩的垄断；但是32层的存储量实在是太少了；到了2019年翻了一倍，64层了；到了最近，长江存储又翻了1倍研制出了128层的3D NAND flash。

总结

长江存储真是是了不起，在三年内三连破，大大出乎了美国人的意料，美国科技界都是大呼不可能。

尽管存储芯片这一块难度是最低，不过随着大数据时代的来临，一个是安全问题，另一个是存储容量的问题，紫光都具备。发展存储芯片，对于我国意义重大，难度虽然不大，但是有利于培养人才，在芯片封装上层数那么多，也是可以练练手的。

希望目前紫光能在4D NAND flash上有所创造，那才是真正地领先世界。

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