国产芯片又获一大突破！打破美日韩垄断后，逐步实现“弯道超车”

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周一（4月13日）最新消息显示，国产芯片又取得了一大突破。中证网援引中企紫光集团旗下的芯片公司长江存储称，该企业128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）正式研发成功，并且已经得到多家控制器厂商SSD等终端存储产品的验证。

报道指出，这不仅是我国首款128层3D NAND闪存芯片，而且也是全球第一款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片，这一突破可能意味着我国芯片研发与制造在与全球其他国家的竞争中正实现“弯道超车”。

事实上，早在去年9月份，长江存储就曾表示，该企业开始对自主研发的Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND）进行量产，此举对于降低我国芯片对外依存度有着重要意义，当时有分析认为，这一突破有望令我国的芯片自给率从此前的8%上升提高到40%；同时还将“中国芯”与全球顶尖3D NAND企业的技术差距缩短至2年内，是打破美日韩等国垄断的关键。

打破进口垄断 电源管理芯片供应商芯朋微已实现部分领域国产替代

本报记者 李亚男 距离无锡芯朋微电子股份有限公司（以下简称“芯朋微”）科创板注册申请通过14天后，7月8日，芯朋微启动初步询价，证券代码为688508。 招股书显示，芯朋微成立于2005年，为集成电路设计企业，主营业务为电源管理集成电路的研发和销售。公司专

不过，长江存储最新推出128层3D NAND闪存芯片的举动符合外媒此前的预期。早在2019年，外媒曾指出，2020年长江存储很可能直接跳过96层而直接进入128层3D NAND，将中国与美日韩等国芯片巨头的技术差距缩小1到2年，从而实现弯道超车。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊对此表示，作为闪存芯片行业的新人，该企业能在短短3年时间实现了从32层到64层到128层的跨越，离不开该企业数千名员工的努力和全球产业链上下游的通力协作。

在长江存储推出128层3D NAND闪存芯片之后，美日韩等国对国际芯片市场的垄断可能将进一步被打破。据悉，早在去年初，美国英特尔和美光、韩国三星、SK海力士和日本东芝等全球芯片巨头由于担忧长江存储在量产后将冲击芯片价格，因此已经在加快生产92层和96层芯片，并将于今年推出128层芯片生产，以维持其竞争优势。

然而，从目前的情况来看，长江存储也在持续提高自身的竞争力，随着长江存储芯片量产，未来中国芯片自给率或将继续提高。或许正因如此，美国近期准备对其芯片出口做出调整的决定才会遭到该国9大组织反对。因为一旦该国减少对华芯片出口，那么很可能导致美企永久失去在华的市场份额。

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