国产光刻机做不了7nm芯片,如果靠增大芯片面积提升性能可行吗?
苹果芯片性能领先安卓一代,这究竟是为什么?自研CPU是关键
众所周知,说起手机Soc的性能,苹果一直是一骑绝尘般的存在,领先安卓芯片甚至一代以上。比如目前安卓芯片最强的高通骁龙865,也就和苹果上一代芯片A12比比肩。 而其它的安卓芯片,像华为麒麟990 5G、联发科天玑1000、三星Exynos990这些,虽然性能有高有低,
目前国产能够实际量产的光刻机仍然停留在90nm级的水平,有些人说,既然国产光刻机在精度上远远不及ASML的EUV光刻机精度那么高,那么完全可以通过增大芯片面积来提升性能,从而在性能表现上不至于被国外的先进芯片拉开太远,然而这种思路对于芯片制造而言,其实是非常不理性的,也是不科学的。
就拿华为的麒麟990作为例子,目前的麒麟990 5G芯片采用台积电7nm euv工艺制造,用的光刻机自然也是来自ASML的EUV光刻机,如果没有使用7nm euv工艺来提升晶体管密度的话,那么麒麟990可能就达不到目前应有的性能,也无法做到集成5G基带,这样的麒麟990显然在市场竞争中就没有那么强的竞争力,相应的产品实力也会下降。
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如果用14nm工艺来制造麒麟990,并且不惜芯片面积为代价的话,理论上当然也是可以做出来,但是这样的芯片面积就可能翻番,然而制造芯片用的晶圆基本都是300毫米晶圆,所以说这样以来,麒麟990的成本就会大幅提升,而且一旦晶圆上的瑕疵增多,那么麒麟990的芯片产能也会受到影响,从而直接导致降低华为手机的供应。
所以说,无论是华为,还是高通和联发科,大家都在追求极限的半导体工艺,目的就是为了尽可能让芯片面积较小的情况下,使性能和功能特性最大化,从而提升竞争力。而且,目前主要的消费级市场以移动领域为主,所以即使芯片厂商必须要靠先进工艺来把芯片的面积和能耗控制住,如果是通过老一代光刻机和制程来做目前的主流级芯片完全行不通,而到目前也几乎没有敢这么做的。
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