我国5nm激光光刻取得突破

随着手机芯片技术的发展，光刻机最近成为这段时间的热门话题。我们国家由于起步较晚，加上西方国家对相关技术的封锁，因此到现在高端光刻机领域始终无法突破。

虽然我们国家的国产光刻机在技术上已经取得了很多进展，但是国产光刻机到目前也只能达到生产28nm芯片的水平，距离当前全球最先进的5nm技术依旧存在很大的差距。当然出现这种差距的根本原因就是缺乏EUV光刻机，也就是业内所说的极紫外光刻技术。

伴随着我们国家相关团队的不断研究，终于在近日传来了一则好消息——

中科院最近宣布在5nm光刻研究上取得了一项重大突破。据了解中科院搞定的这项新技术，就是可以用激光在靶材上加工出宽度最细为5nm的物理结构。这种技术跟之前的同类技术具有鲜明的优势，并且使工作效率可以大大提升，换句话说为未来我们国家的国产5nm芯片技术做好了开端。如果仅仅依靠这项技术就说中科院掌握5nm光刻还言之过早，因为这次技术的进步和光刻机本身并没什么太直接的关系，仅仅只是名字里包含了“光刻”两个字而已。

清华专家：芯片产业要与全球接轨，从零开始成功的可能性很小

作者| 边际实验室 本文包含966字，预计阅读完需要5分钟 在本周五于上海举行的世界人工智能大会上，清华大学微电子所所长魏少军表示，中国的芯片产业必须要与全球技术体系接轨。从零开始将芯片做大做强的可能性很小。 目前，美国正在加紧对中国高新科技领域的

其实5nm制程的芯片之所以很难做，很大程度上在于传统的DUV的波长影响，DUV波长可以达到193nm，正是由于干涉衍射的现象比较严重，所以光波长越短加工的精度就会越高。为了不断的提高芯片的加工精度，荷兰的ASML公司就研发出EUV极紫外的光刻机，该光刻机的原理就是通过使用波长为13.5nm的极紫外光来对芯片进行纳米级的精细加工，从而达到相关的技术和规格要求。

我们国家中科院研究出来的这个5nm激光光刻技术，本质上的原理就是利用了干涉衍射的现象，从而产生了5nm的特征图形，进而在很大程度上提升了芯片的制作精度，它的设计思路和FIB（聚焦离子束）几乎没有什么区别，但是两者相比的话，其存在很大的优势就是使得加工精度直接提升到了纳米级的水平，并且效率也出现了很大幅度的提升。此技术的研发成功，即使无法直接用来加工芯片，但至少可以制造出对于芯片加工所必须的关键部件，可以说它的意义还是很重大的。

虽然，国产5nm芯片的制作工艺离我们还有很长的一段路程，但是这项技术的研究成果必将在一定程度上推进我们国家相关技术的进展。即使单项技术的进展不能让我们成功生产出5nm制程的芯片，但如果把中科院这项技术进展作为国产芯片研究工作的里程碑的话，我们国家在相关领域的未来发展还是可以预见的。

未来，我们国必将会继续出现另外的里程碑，让我们一起拭目以待吧！