芯片制造台积电完胜三星,中芯国际和华为有后发优势赶超可期

打破西方垄断,中国芯片传来喜讯,国产芯片获国际安全认可

我国的芯片事业发展一直以来都用一些良好的竞争,而今年美国的禁令后也让国内的芯片市场有了更多的想法,毕竟有自己的一些技术研制才是当前之应该做的事情。 芯片产业的国产化才能够给我们带来更多的一些发展机遇,在这样的情况之下,国内的公司都有比较多的

就在三星宣布投入基于GAA技术的3nm芯片之后,台积电近日宣布进入基于GAA技术的2nm芯片,可以说这一轮三星完败于台积电。不过,中芯国际和华为为代表的中国半导体行业有后发优势,只要有决心,我们完全有机会赶超。

关于GAA技术

这里的几纳米指的是晶体管大小,如果晶体管越小,那么在CPU上的数量也就会越多,性能自然也会更强,因此晶体管的纳米级别,是评判芯片性能最重要的指标。

最初晶体管如灯泡一样大,提到性能就直接说晶体管数量的,数量越多性能越强。进入了纳米时代之后,按照个数就太大了,因此就以尺度来判断性能。

按照摩尔定律,芯片制程极限是35nm,由于胡正明团队提出了FinEFT技术,才突破摩尔定律极限,从最初的45nm,到如今的7nm,5nm,3nm,而这里3nm就是FinEFT技术的极限。

此时FinEFT技术的改良版本GAA技术被提出来了,谁掌握的GAA技术,谁就能率先进入2nm甚至更小的时代,引领全球芯片行业。

台积电与三星之争

客观来说,目前芯片行业的领头羊就是台积电和三星,这两者目前争斗激烈。

虽然三星号称是世界第二大芯片代工厂,但其无论是市场份额还是技术都与台积电存在代差。因此,三星前段时间急于将采用FinEFTnm技术的4nm芯片直接开发为采用GAA技术的3nm芯片就是想要弯道超车。如果成功,那么提前布局GAA技术的三星将有机会超越台积电。

但是三星的恐怕要梦醒了,近日台积电在2nm技术的研发上已经实现“破冰”,采用的正是先进的GAA技术,关键还是2nm。三星在之前的FinFET技术上与台积电就无法竞争,因此想要提前布局GAA,结果台积电也立马介入,此时台积电FinFET技术也愈发成熟。

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可以说两家芯片巨头之争,三星已经没有退路,但即使其突破GAA技术,那也只是3nm,与台积电还是存在代差,真是千年老二的命啊。

中国芯片之路

众所周知,芯片一直是一个卡脖子的技术,中国大陆技术上与国际顶尖企业相比,从研发到生产都存在较大的差距。

华为旗下的海思芯片虽然与和其他中国大陆的技术相比有一定优势,但与苹果、高通这样的企业还是存在一定劣势,国产芯片还有很长的路要走,那么出路在哪呢?

  • 首先,中国芯片企业要如华为的海思一样,投入巨资进行研发,而不是拿来主义。
  • 其次,除了传统的硅基芯片,其他基材的芯片我们更要加大研发力度,这是实现弯道超车的最佳途径。
  • 最后,实现全球资源整合,联合各个国家的技术力量,一起去公关,实现国际大合作。

虽然我们与巨头有差距,但是我们中国人勤奋,也有很多出色人才,再借助外援,中国半导体行业一定有出路。

中芯国际和华为

看到这里,相信还有网友也在为我们的中芯国际和华为担心,其实不必过于忧虑。虽然GAA的确是一种较为先进的技术,但是我们也能看到硅基芯片在现有条件下,迭代的速度已经明显放缓。

这正是芯片材料实现大突破的机会,相信我们赶超只是迟早的事情,只是我们有没有这个决心,让我们拭目以待吧。

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