厉害了中国芯！亚成微发布E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片

当前手机的电池续航已经能支持轻中度使用一天。但是，在5G 时代，由于需要在单位时间内处理更多的数据或者实现万物互联等多种原因，手机的耗能将会增加，手机的续航能力将会再次面临挑战。传统的快充方案由于无法找到更具性价比的材料，仅通过调节电解液和正极材料无法快速地提升电池的能量密度，但是受制于手机内部空间以及手机重量，考虑到安全问题，手机电池容量也无法无休止地增加。

这时候，作为目前全球最快的功率开关器件之一，GaN被视为手机快充的未来。这是因为新型的GaN快充与传统快充相比，它拥有更大的功率密度；同时，由于具有更高的能量转化效率，也具有更低的功耗并减少发热。此外，GaN功率器件的开关频率显著高于传统快充中的Si功率器件，因此可以实现体积更小的充电器产品设计，有望成为快充技术升级的重要方向。目前来看，采用GaN材料的快速充电器已成星火燎原之势，逐渐成为行业主流。

亚成微电子于近期成功推出了一款E-Mode GaN FET直驱控制ZVS反激芯片RM6801SN，这也是国内首个直驱氮化镓功率器件ZVS反激控制器，填补了国内空白。

两颗芯片助力中国3D视觉产业不再受制于人

人工智能、5G等科技浪潮的来袭，加速了我国芯片国产化的重要性及其进程，而在我国的AI 3D芯片这条赛道上，诞生了一位名为“中科融合”的玩家。 根据官网介绍，中科融合是国内第一家专注于“AI 3D”自主核心芯片技术国产化的硬核科技创新性企业。天眼查数据显

亚成微RM6801SN是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，内置700V高压启动、X-cap放电、可调交流输入Brown in/out等功能，工作频率高达130KHz，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准；并且支持CCM/QR混合模式以及拥有完备的各种保护功能，专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗，改善EMI特性。采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本，完美应用于大功率快速充电器。 。

陕西亚成微电子股份有限公司是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，拥有10年以上的模拟电路设计公司运营经验。公司具有国际领先技术水平设计团队，所研产品涵盖 5G 通讯设备和功率电子两大领域，主要为5G通讯设备提供关键的核心芯片ET- PA；物联网终端及可穿戴设备用的高功率密度DC-DC电源芯片（MHz）；AC-DC电源管理芯片和LED驱动芯片。产品可被广泛应用于通讯设备、无人机、消费类电子、工业控制以及各类新型智能终端领域。

在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户提供高功率密度快充解决方案，目前已推出了国内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时又配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。