国产芯真的全面崛起技术获外媒称认可中芯国际今年量产7nm芯片

众所周知，中国一直以来都是全球芯片需求量最大的国家，每年都将会消耗全球约1/3的芯片，但即便是面对如此庞大的需求量，我们国内在芯片制造领域依旧处于较为落后的态势，相对于芯片设计、芯片封测方面，早已经追上了世界顶尖主流水准，唯独在芯片制造这个环节，目前与世界顶尖水准依旧还有这2-3代技术差距（约近5年差距）。

相信大家都知道，中芯国际已经正式量产了14nm芯片，但相较于台积电、三星的7nm工艺水准，中间依旧还间隔着12nm、10nm、8nm技术，也是有着三代技术差距，但我们都知道，目前中芯国际联席CEO梁孟松博士，也在2月份财报会议上，正式对外透露了中芯国际最新的N+1、N+2代芯片工艺的具体情况，据悉，中芯国际最新一代N+1芯片工艺，相较于目前14nm芯片工艺，将会有着20%左右的性能提升，功耗更是直接降低了57%，逻辑面积直接缩小了63%，SoC面积也减少了55%，按照这样的性能参数水准，无疑中芯国际的N+1芯片工艺水准，已经能够接近于台积电7nm工艺，据悉中芯国际N+1芯片工艺将会在今年年底正式实现量产，而对于N+2芯片工艺则是面向高性能，同时成本也会增加；

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盘面总结： 盘面上，农业相关概念一枝独秀，全面继续强势表现，局部出现涨停潮，半导体受国家二期大基金及外围科技股反弹影响，早盘出现走高，但整体仍不强；海外最大稀土生产商延长关闭时间，稀土概念盘中整体拉升；证券石油盘中活跃，异动拉升；中船系、汽

更重要在3月4日，中芯国际从荷兰进口的一台ASML大型光刻机顺利通进入到深圳厂区，同时也花费了高达近17亿美元（约120亿人民币）用于进口芯片制造的相关原材料和设备，这意味着大家最为期待国产芯片的制造环节，已经正式开始实现了崛起，同时中芯国际的高速崛起发展，也是得益于梁孟松博士的加入，而面对中芯国际如此神速的进步，自然也是引起了外媒的关注和报道，这意味着，中芯国际的实力已经开始得到“外媒认可”，当然对于中芯国际未来发展而言，如果无法获得EUV光刻机，这意味着会影响中芯国际N+2工艺之后的发展，毕竟要发展6nm、5nm芯片还是需要EUV光刻机，而DUV极限也就是7nm工艺水准；

写在最后：随着中芯国际在芯片制造工艺水准不断崛起，要知道目前7nm工艺水准已经能够生产接近90%的芯片，而未来中芯如果能够进一步引进EUV光刻机，意味着也将会再次缩小与台积电、三星之间的差距，期待中芯国际在芯片制造领域能够不断地取得突破，当然小编也更寄希望于我国自己的，不弱于世界的光刻机的出现。对此，各位小伙伴们，你们对于“国产芯片”崛起，都有什么样的意见和看法呢？