终于破冰！碳基芯片迎来突破，我国芯片新技术“直道”超车

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实现国产芯片在现今显得尤为重要。但我们也必须承认，中国芯片技术的整个产业链仍处于困境。我们国家在晶片材料、设备、设计、制造等方面存在很多不足，难于突破。但有消息称，中国科学院攻克了碳基半导体技术，为中国芯片产业带来了希望。

此外，中国的许多半导体制造商正悄无声息地为实现对半导体材料(光刻胶、硅片等)、设备(蚀刻机、光刻机等)、设计、制造的独立控制而努力。中国国产芯片有望通过两条生产线的开发，尽快解决“卡喉咙”问题。怎样克服半导体技术和设备在硅基芯片上的局限，是中国半导体产业面临的一个难题。不然的话，中国的芯片制造业就会被别人控制。所以必须尽快克服。这不，好消息传来了。晶片生产技术得到突破，我国科学家另辟蹊径直线超车。也许今后，华为不需要担心美国的芯片故障。在中国，碳基芯片制造可以替代荷兰的 EUV光刻机。

事实上！我国要保持技术和经济的发展，就必须保持芯片制造的独立性。但长期来看，中国在芯片技术领域缺乏核心技术和自主研发能力，无法引领从材料、设计到芯片制造的一整套技术，导致中国高度依赖欧美。数据显示，中国每年花在进口芯片上的资金高达3000亿美元，远远超过进口石油的成本，而且面临着欧美的封锁。

怎样摆脱对欧美的依赖？核心是碳技术！目前全球芯片常用的材料为硅。然而，由于欧美垄断了硅基板技术，中国在这方面很难取得新的突破。所以中国科学家已经设定了目标，并且准备好了利用碳基技术在芯片行业实现“直线”超越。

彭连茂说，与传统的硅基技术相比，新一代的碳基电子器件和信息器件在所有半导体应用领域，包括数字电路、射频/模拟电路、传感器件、光电器件等方面都有更好的表现。均有创新应用前景。

订单接到手软！台积电7nm芯片产量破10亿，华为彻底无缘了

纵观现在的芯片行业，90%以上的高端芯片都绕不过台积电。凭借着先进的工艺，台积电最近这几年里一直走在芯片制程工艺的前列，获得了来自苹果、高通、华为等众多大厂的代工订单，日前台积电官方公布了一项突破性的数据，7nm芯片生产了10亿颗。 台积电表示，7nm

很多人不知道碳基芯片的好处。报告指出，碳基技术具有成本低、功耗低、效率高等特点。举例来说，当你在手机上看电影或者玩游戏时，电在3小时内就会耗尽，但通过碳技术，你至少能看到10小时以上。开启手机就能播放9个小时的电影，而且不会造成死机。

碳技术之所以能够改变中国对国外的依赖，是因为中国的碳技术起步较早。目前这项技术是基于20年前由彭连茂的一位学者彭连茂提出的无掺杂 CMOS技术而发展起来的。一连串突破性的进展大大增强了中国在全球半导体产业中的话语权。

晶体管是芯片的关键部件，所以当我们讨论基于碳的芯片时，我们首先要讨论的是碳晶体管。有许多类型的晶体管，其中最常见的是 MOS场效应晶体管，它的基本结构是源极、漏极和栅极，它的源极和漏极位于硅晶片上，由掺杂或离子注入某些杂质制成。该电极由高导电材料制成，放置在二氧化硅的绝缘层中。

MOS场效应晶体管的工作原理是通过在栅极上施加一定的电压，使其具有“0”或“1”的开关特性，从而控制源极和漏极之间的通路状态。栅长(又称特征长度)是芯片制造过程中的一个重要指标， XX纳米代表栅长。随着网格长降低到65 nm节点，晶体管开始出现短沟道效应，使芯片功耗增大。但为了控制沟道效应，必须不断地降低栅氧化薄膜来增加栅氧化容量。但是，栅极氧化物层的减少又带来另一个问题：泄漏电流(电流从栅极绝缘层流向沟道)。若使用二氧化硅作为门的绝缘层，其厚度小于5 nm，漏电就会变得很难承受。假如肉眼能够看到电流，那么芯片内就会有一片充满水的场景。这就是碳基芯片的内部原理。

虽然中国公司发布了好消息，并研制出了国产光刻机，但是它们与先进的光刻机仍有很大的差距，短期内难以克服。面对人们的忧虑和忧虑，中国的碳基芯片的问世，国产芯片将在未来遥遥领先。

以碳为基础发展起来的芯片和半导体，彭连茂院士等人完全避开了欧美芯片制造的专利壁垒，可以说是国内学者的功劳。同时希望碳基芯片和碳基半导体能尽快上市，并尽快推向市场。唯有如此，你才能实现“直线”超车，彻底摆脱对欧美国家的依赖，成为真正的业界领袖。让我们拭目以待！