芯片之战迎来转折,中国碳基芯片获得突破,可以弯道超越么?
美国对中日韩都施行“芯片霸权”,却为何不敢对俄罗斯下手?
“科学技术是第一生产力”这句话放到任何时空都是真理,因此,谁拥有核心技术,谁就能在国与国的较量之中获得更多话语权,并占得先机。而目前,最能体现这一真理的,可能真要数半导体,也就是我们经常谈论的芯片了。 长久以来,美国的芯片制造技术都是最为先
芯片,芯片,芯片,是人类顶尖智慧的结晶,也是中国高科技产业的痛。而随着硅基芯片越来越靠近物理极限,摩尔定律即将失效,芯片的未来出路在哪里?中国又该怎么做到弯道超车?
什么是碳基芯片?
大家平时听到的都是芯片这个词,其实芯片也有不同的种类。目前使用的就是硅基芯片,顾名思义,是用SiO2,也就是沙子做成的芯片。为什么用硅做芯片了?最重要的原因就是硅在地球的含量非常非常的多,易于获得。
硅基芯片不仅制作复杂, 核心技术基本都被以美国为首的西方国家所掌控。同时硅基芯片的性能是由晶体管或元器件的数量决定的,而随着摩尔定律不断的逼近极限,硅材料的各种问题也都显现出来了。比如硅的电子迁移率和击穿电场较低,在光电和高频高功率方面应用交叉。可以说,硅基芯片是一条没有前途的路。
那怎么办了?换材料,用碳(C)做芯片,这就是碳基芯片。碳的自身性能远优于硅,运行速度可以快5-10倍,而功耗却只有硅的十分之一。同时石墨烯的产业很成熟,碳基芯片的成本也更低。
碳基芯片的传导传热能力强,也可以应用在大功率,高频高功率这些硅基芯片无法应用的方面。尤其是在10nm之下,碳基芯片具有明显的性能优势,有望可以达到摩尔定律的极限。
早在1998年,IBM与荷兰代尔夫特理工大学就已经制成了世界上第一个碳晶体管,但是后来因为材料问题,而没有继续研究。碳纳米管是呈六边形排列的圆管,具有超高的电子迁移率和稳定性,用碳管排列形成的芯片比硅晶体管领先5个技术节点。
北大 vs. 麻省理工
在2007年,北京大学彭练矛院士,张志勇教授研究团队就已经开始对碳基芯片的问题开始了研究。十年磨一剑,2017年,他们研制出了5nm的碳纳米管CMOS器件,这是当时世界上最小的高性能晶体管,性能超过硅基芯片10倍。研究成果发表在《Nature》上。
而要实现大规模商用,做成真正的碳基芯片,需要在晶圆上制备大面积、高密度、高纯度的碳晶体管。具体的说,纯度需要超过99.9999%,密度达到100-200每微米。只有到了这一步,才可以谈产业化。
2020年,北大团队终于解决了这一问题。他们不仅做出了超高纯度的碳纳米管,并且在晶圆硅片上,每微米排列了100到200个碳纳米管。文章发表在《Science》上。
为什么造不出国产高端芯片,造一颗芯片有多难,难倒了亿万国人?
芯片设计制造关乎国家科学、军事、工业现代化进程,关乎国家强大与国民安康。国家应重视和扶持组建国家级科研队伍,奋起直追。借鉴日本和美国的经验,由国家主导,成立一至两家成规模的半导体研发公司,引导国内众多企业参与,防止小规模,低效益的混战,加大
而在美国麻省理工学院(MIT),以助理教授Shulaker的团队为首,也在对碳基芯片开展研究。2019年,他们团队开发出了全球第一个碳纳米管芯片RV16XNano,这是一个16位微处理器,包含了14000多个碳纳米管,并且成功执行了一段程序, 输出了“Hello world!”。他们也改进出了制作碳纳米管的工业技术,使得大规模商业化制作成为可能。
北大和MIT,技术上北大还更为先进,但是MIT研究小组不仅有着美国国防部和空军实验室的支持,更有着实实在在的半导体公司加入,MIT研究小组的实验都是在工业流水线上完成的。企业的深度参与,可能会在未来起到关键性的作用。
能够弯道超车吗?
目前来看,中国在碳基芯片上有着技术优势,但碳基芯片的出现,能够帮助我们中国弯道超车么?
完整的芯片制作需要设计、制造、封装测试,这里面有上千个步骤。我们的芯片设计能力很强,但是芯片设计的EDA软件都被美国Cadence、Synopsys和西门子旗下Mentor Graphics三家公司垄断。目前,这些软件公司都已经对华为断供。
第二是制造方面。就算是碳基芯片,还需要各种电极,来组装成为一个集成电路,这还是需要用到光刻机和电子束刻蚀来铺设。而我国的光刻机想必大家也都很清楚,落后的太多了。
因此从目前看,要想靠碳基芯片弯道超车,还是不太现实的。但碳基芯片将是我们超车制胜的利器!
就像毛主席说的,“一万年太久,只争朝夕”。中国芯片,加油!
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