图文|科技故人

根据国内媒体报道，在9月18日回答社会关注问题时，中国大陆的半导体代工龙头中芯国际SMIC正式宣布：公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产

终于等来了！作为第一代FinFET技术的升级版，中芯国际的第二代FinFET N+1技术将正式突破14纳米制程的限制，成为中国大陆首家打入10纳米及以下工艺制程的厂家，值得祝贺！

不需要EUV的N+1技术

在全球的所有产业中，半导体行业是最复杂、技术难度最高、资金投入最大的，从随处可见的一碰黄沙到集成了百亿多晶体管的一块指甲盖大小的芯片，要经过芯片设计、芯片制造、芯片封测三大环节

其中芯片制造是最难的部分，先不说生产芯片，光是制造过程中用到的光刻机、蚀刻机、离子注入机、薄膜沉积设备等都需要几十年的技术积累才能研发出来，最典型的是荷兰ASML的EUV光刻机，一台EUV包括10万多个零件，集中了美国、德国、日本、法国等几十个国家的最前沿科技才研发出来

好消息是，中芯国际最新研发的N+1和N+2技术不需要EUV也能实现7纳米及以上制程芯片的制造，这一切都要感谢一个大佬的加入：梁孟松

梁孟松堪称芯片业的传奇人物，在加入中芯国际之前，他在美国芯片巨头AMD、台积电、三星都有过任职，在台积电的17年里为台积电的发展壮大立下过汗马功劳，三星从28纳米直接跳过20纳米和16纳米直接研发14纳米技术，就是梁孟松主导的，最终三星比台积电早半年实现了14纳米工艺！

2017年梁孟松来到中芯国际之时，中芯国际面临内忧外患，对内迟迟突破不了14纳米工艺的研发，对外则面临订单减少公司亏损的困境，梁孟松加入之后，只用了298天的时间就将14纳米工艺技术研制成功，将产品良率从个位数提升到了95%！

封锁后好消息传来！中科研制芯片已突破30万！国产替代已经到来

【2020年9月20日】随着美国对我国以华为公司为代表的高科技公司的施压措施的正式生效，到本月15号，华为已经无法再继续获取来自外部代工厂的芯片供应了，而未来中国在芯片等高科技领域上自身如何取得突破，中国未来的科技将朝着什么方向继续发展，中科院院长

性能接近台积电的8纳米工艺

根据台积电和三星此前的经验，生产7纳米及以上制程的芯片，可以不用ASML的极紫外光刻机EUV，但是具体的制造工艺和流程，别人是不会告诉你的，只能自己摸索

经过了两年的研发之后，梁孟松带领中芯国际提出了自己的突破方案：N+1、N+2技术，N+1的目标是从14纳米制程基础上实现10~12纳米芯片的制造；N+2的目标是实现7纳米芯片的制造

刚刚突破的就是第二代FinFET N+1工艺，根据梁孟松公开的透露的数据，中芯国际的N+1工艺比台积电的14纳米工艺性能提升20%、功耗降低7%、面积缩小了63%，按照台积电的制程计算方式，大约等效8纳米制程，比预想的10~12纳米制程几乎整整提升了一代，点赞！

需要说明的是，中芯国际目前实现的等效8纳米工艺，只算是踏入了8纳米的门槛，主要还是面向中低端芯片，如果想完全达到台积电和三星等主打高性能的8纳米工艺，还有不少技术难题需要继续攻克

中芯国际提出的N+1、N+2工艺的目标，就是最终实现7纳米芯片的量产，目前距离这个目标已经迈出了一大步，因为8纳米工艺跟7纳米工艺几乎是同一个制程上了，有了7纳米工艺之后，只要产能足够释放，中国90%以上的芯片将能实现自产自销！

写在最后

从中芯国际和梁孟松的例子可以看出，大国崛起最重要的还是要靠人才和教育，没有基础理论创新，科技进步就是空谈，梁孟松在加入AMD之前，曾经在美国著名的加州大学伯克利分校拿到博士学位

根据美国专利局的数据显示，梁孟松个人参与发明的专利半导体技术多达181件，到了台积电之后专利积累更是多达500多个，没有深厚的理论积累，是不可能做到这一点的

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根据国务院最新颁布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》，未来我国将在基础教育、人才培养、企业免税、校企合作等方面全面发力，实现2025年国产芯片70%的自给率，留给中芯国际和中国半导体产业的市场空间高达2万亿人民币，加油！