中芯8nm芯片年底开始试产，不要EUV光刻机，ARM神助力
为什么要有条件的限制中方芯片 一旦成功就会导致崩盘
最近，美方对于中国的芯片生产进行了严密的封锁，造成了中国不少电子产业出现了困难。不过一些外国的专家却认为不应该限制中国进口芯片，因为如果这样，那中方只能靠自己研发生产了，一旦成功，将会给芯片等半导体产业带来巨大的影响。 大家都知道，中国的制
一直以来我国在芯片领域的开发，与世界技术相比都是比较落后的，国内的芯片市场长期以来，都受制于美国或其他芯片大国的打压，始终没有一个很好的发展机会，这一次美国的“逼入绝境”，可以说是彻底的将我国逼入了，全力研发半导体芯片的时代。
近日我国的芯片研发传来了好消息，中芯国际官方正式宣布了，国产8纳米芯片年底试产的消息，最重要的是不需要EUV光刻机，其次中芯国际的二代FinFETN+1已进入客户导入阶段，渴望于今年年底进行小批量试产，在一代的基础上二代FinFETN+1技术，已经成功突破14纳米制程的限制，让我国的芯片工艺达到了10纳米及以下的尖端水平。
据了解，第二代FinFETN+1工艺制造的8纳米级别芯片，比起原有的台积电14纳米，在总体性能上提升了20%，使用功耗降低了7%，体积则缩小了63%，这是打破美国垄断和我国依赖进口光科技的转折点。
台积电发展太快了！三星芯片市场拱手让人，高通后悔也晚了
前言：在芯片工艺制程方面，全球能够代工芯片的厂家并不多，能够生产高端芯片的厂家更是寥寥无几。就目前来说，能够生产5nm芯片的只有台积电和三星两个厂家。所以说，全球高端芯片的市场基本都被这两家垄断。目前来说，台积电的市场份额远超三星，不仅仅是因
同样的我国也将会再一次的打破常规，让芯片生产制造不再必须用EUV光刻机，另一方面华为拿到了ARM，最先进的V8架构永久授权，这样就可以能够全心全力的，去发展自己的光刻机生态链，你们对这件事情有什么样的看法？欢迎评论区留言关注！
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小米 10T Lite 或首发骁龙 750G 芯片
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