终于等来了，中国7nm芯片技术获得重大突破，国产芯片破局时局已到

最近一段时间，美国频繁地利用“芯片”制裁中国华为与中兴等中国企业的事情，在国际上闹得可谓是“沸沸扬扬”甚至就连中芯国际都难逃美国的“黑手”。既然被美国在芯片上面束缚住了“手脚”，那么我国自然是要解开这些“捆绑”着手脚的束缚。于是，研制属于我们自己“国产芯片”的计划就此被提上了日程，而最近这一研制计划似乎有了一个巨大的“突破”，我们也终于等来了一个好消息。

日前，中兴公司曾对外正式宣布5G基站的7nm制程芯片将会全面商用化，而在这句话刚宣布完不久之后，中芯国际的第二代FinFET工艺也在同一天的不同时间曝光出了新进展，根据《珠海特区报》的报道显示，芯动科技已经全面完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1工艺的芯片流片与测试，该工艺将是由国内全面自主研发生产并测试通过。

关于该工艺，中芯国际联合CEO梁孟松曾对记者解释过，该工艺虽然不是真正意义上的7nm工艺，但是这个由中芯国际研制的N+1工艺，其无论是在功率方面还是在稳定性方面都和现有的7nm工艺十分相似，并且跟现有的7nm工艺相比较的话，该工艺还有一个最大的主要优势，那就是不需要EUV光刻机。

当然，这系列工艺还是有缺点的，例如在性能方面的提升就远远不够，所以，以目前的情况来看，N+1工艺是面向低功耗领域的工艺。不过对于中国来说，此次芯动科技基于中芯国际的先进工艺所研制的芯片的测试成功，意味着中国未来将会在芯片方面彻底拥有自主知识产权，并且在面对来自外国的“卡脖子”中，中国也将可以全面应付。

吴汉明：后摩尔定律时代芯片制造存三大挑战

每经记者：朱成祥 每经编辑：张海妮 10月14日，第三届全球IC企业家大会，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲。图片来源：每经记者 朱成祥 摄 在10月14日第三届全球IC企业家大会上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明

与此同时，此次的测试成功也对外宣布了，中国在7nm制程芯片上的研发以及制造技术已经取得了巨大的成功与突破。不过中芯国际早在一个月前的“上证E互动”回答投资者的问题时就曾透露过一个好消息，当时中芯国际表示该工艺已经进入到了客户导入阶段，并且将有希望于2020年年底进行小批量试产。

虽然当时中芯国际并没有发表官方声明证明N+1就是7nm工艺，但是外界曾一度有过相关的猜测，而现在中芯国际则证实了这一早先的猜测。目前英特尔的10nm工艺制程的产品才刚上市不久，对于7nm的研究，英特尔现在也是寸步难行，而随着中芯国际在该工艺上的研制成功，未来中芯国际甚至有可能会超越英特尔。

其实这样的发展也是必然的，要知道美国曾频繁地利用芯片卡我们的“脖子”，而对于我们来说自研芯片就是最好的出路。现在距离年底的小批量试产已经不久了，希望我国在未来能彻底打破来自美国的“制裁”。现在对于我国来说是最为关键的时候，甚至可以说国产芯片破局时局已到，这有助于我们在芯片领域彻底解决“卡脖子”问题。（豆豆）