智芯文库 | 详细解读芯片如何“坐拥”百亿个晶体管

芯片企业迎来机遇!原料药+食品饮料,低估龙头机会!

盘面解析: 三大指数低位震荡沪指跌0.19% RCSS概念延续强势 三大指数集体低开,早盘维持窄幅震荡,午后小幅冲高后回落。盘面上,题材快速轮动,水产、RCS、芯片、原料药、C2M、旅游、军工、有色金属、口罩等轮番拉升。截至收盘,沪指跌0.19%,报收2815点;深

如今的 7nm EUV 芯片,晶体管多大 100 亿个,它们是怎么样安上去的呢?

晶体管并非是安装上去的,芯片制造其实分为沙子 - 晶圆,晶圆 - 芯片这样的过程,而在芯片制造之前,IC 涉及要负责设计好芯片,然后交给晶圆代工厂。

芯片设计分为前端设计和后端设计,前端设计(也称逻辑设计)和后端设计(也称物理设计)并没有统一严格的界限,涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。

如果我们将设计的门电路放大,白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。

当芯片设计好了之后,就要制造出来,晶体管就是在晶圆上直接雕出来的,晶圆越大,芯片制程越小,就能切割出更多的芯片,效率就会更高。

举个例子,就好像切西瓜一样,西瓜更大的,但是原来是切成 3 厘米的小块,现在换成了 2 厘米,是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。

制程这个概念,其实就是栅极的大小,也可以成为栅长,它的距离越短,就可以放下更多的晶体管,这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小,源极和漏极之间流过的电流就会越快,工艺难度会更大。

芯片制造共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。

其中雕出晶圆的最重要的两个步骤就是光刻和蚀刻,光刻技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用波长为 2000~4500 的紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

光刻技术就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。简单来说芯片设计人员设计的线路与功能区“印进”晶圆之中,类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件。

而蚀刻技术就是利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。例如,大规模集成电路要经过约 10 次光刻才能完成各层图形的全部传递。

在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。目前主流所用的还是干法刻蚀工艺,利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体蚀刻机。

在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺,应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等,通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。

驱动之家有一片的 CPU 的制造过程,《从沙子到芯片:且看处理器是怎样炼成的》,就从微观上讲解了这个步骤。

在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。

国产芯片产业共同合作,取得重大突破

据报道指国产CPU的代表企业龙芯中科开发的龙芯3A 5000将采用中芯国际的12nm工艺生产,据SPEC CPU2006的测试单核分数达到30分左右,较上一代3A4000提升50%,可以满足大部分的PC应用需求。 龙芯开发的处理器为国产通用处理器,性能较为突出,上一代的3A4000已与

溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。

“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。

清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

这里说一下,什么是光刻胶。我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。

而光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。

可以说,在晶圆制造中,直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间,由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月,经过成百上千道工序,最终集成了海量的微小电子器件,经切割、封装,成为信息社会的基石——芯片。

这是一个 Top-down View 的 SEM 照片,可以非常清晰的看见 CPU 内部的层状结构,越往下线宽越窄,越靠近器件层。

这是 CPU 的截面视图,可以清晰地看到层状的 CPU 结构,由上到下有大约 10 层,其中最下层为器件层,即是 MOSFET 晶体管。

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验证,当前SoC芯片设计难以承受之“重”

芯片设计被誉为人类历史上最细微也是最宏大的工程,芯片研发工作者需要把数百亿颗晶体管集成在面积最小至指甲大小的芯片上。如此复杂的工程,从设计阶段开始就错综复杂,很多环节互相串联,形成一个长流程,需要专业细分、领域不同的研发人员、专业人士和科学