武汉发布全球首款128层QLC存储芯片 单颗容量1.33Tb
世界十大最牛芯片企业排名VS中国十大最牛芯片企业排名
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4月13日，经济日报记者从长江存储获悉，最新128层QLC 3D NAND闪存，在武汉东湖高新区研发成功，这也是全球首款128层QLC闪存。
目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。
3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。
尽管这颗存储芯片不到芝麻大小，却内藏乾坤，拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后，三维闪存新的技术形态，具有大容量，高密度等特点，适合于读密集型应用。TLC的每个“存储细胞”可存3bit数据，而QLC的每个“细胞”能存4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33Tb，相当于1362Gb。
得益于“存储细胞”的不断扩容，以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，此次先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量。
力源信息：公司目前自研芯片主要有（小容量存储芯片EEPROM和功率器件SJ-MOSFET）两类产品
同花顺（300033）金融研究中心4月13日讯，有投资者向力源信息（300184）提问， 您好董秘，请问贵公司的芯片有自主研发的吗？属于国产芯片不？与国际上同类型芯片有什么优势？ 公司回答表示，公司目前自研芯片主要有（小容量存储芯片EEPROM和功率器件SJ-MOSFET
2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速突破。
“从64层量产至128层研发成功，仅相隔了7个月，还有一半时间是在疫情之中。”长江存储首席执行官杨士宁表示，作为闪存行业的新进入者，长江存储用短短3年时间，将中国的三维存储芯片推向了128层高度。“这是数千名研发人员汗水的凝聚，也是全产业上下游通力协作的成果。”
闪存和固态硬盘领域市场研究公司认为，QLC技术降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。128层QLC闪存将率先在大容量U盘，闪存卡和固态硬盘中普及，并将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，广泛用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。（经济日报记者柳洁）
来源：经济日报新闻客户端
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