国产存储芯片达到国际领先水平，中国制造再上层楼

据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片，这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术，意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。

中国是全球最大的制造国，制造了全球超过七成的手机，其他PC、平板电脑等电子产品也有很大比例在中国生产，因此中国对芯片的需求极大，据悉中国采购的芯片占全球芯片市场的份额超过五成，采购的芯片金额甚至超过石油。

存储芯片正中国进口的主要芯片之一，估计中国采购的存储芯片占全球存储芯片的比例超过五分之一。然而在2019年以前，中国几乎没有生产存储芯片，全球的存储芯片主要由韩国、日本、美国生产，中国对全球存储芯片的依赖性非常高。

为改变这一局面，中国努力推进存储芯片的研发和生产，2018年长江存储生产出第一代NAND flash存储芯片，2019年合肥长鑫生产出DDR内存芯片，中国终于在存储芯片行业迈出了第一步。

长江存储虽然在2018年开始投产NAND flash存储芯片，然而其时它生产的NAND flash存储芯片仅是32层，而当时全球主流的NAND flash存储芯片技术为64层，长江存储也认识到自己在技术上的落后，因此32层NAND flash存储芯片并没有大规模生产，而仅为锤炼生产技术，并提升研发人员的技术水平。

外媒：国内5G智能手机芯片需求正在提升

【TechWeb】4月13日消息，据国外媒体报道，备受期待的5G在去年已开始商用，今年的商用范围将会更大，消费者可选择的5G智能手机也会更多，也会有价格略低的5G智能手机可供选择。 在5G智能手机方面，5G芯片至关重要，苹果未能在去年推出5G iPhone，很大程度上就

2019年长江存储研发出64层NAND flash存储芯片，追上了全球NAND flash存储芯片的主流技术水平，它开始大规模投产NAND flash存储芯片。此时中国才真正实现了部分NAND flash存储芯片的自给，不过其时由于长江存储才开始规模化生产，国内市场的NAND flash存储芯片还是主要由国外供应。

目前长江存储研发出128层NAND flash，预计该项技术的NAND flash存储芯片将很快投入量产，而目前海外存储芯片也正在推进128层NAND flash存储芯片的量产，这意味着中国的NAND flash存储芯片在技术上已接近国际领先水平。

推动长江存储快速提升NAND flash存储芯片技术离不开国内企业的支持，其中就包括华为。2019年华为被美国列入实体清单，美国存储芯片企业美光与华为的合作受阻，华为迅速与长江存储合作研发NAND flash存储芯片，早在数年前华为就已研发SSD控制芯片，在存储芯片技术上有一定积累，而且它是全球第二大手机企业、前五大服务器厂商，对NAND flash存储芯片有很大的需求，华为的支持也加快了长江存储研发更先进的NAND flash存储芯片技术的脚步。

中国自改革开放以来主要是依靠来料加工的方式发展经济，直到2007年之前加工贸易占中国贸易的比例还超过五成，自那之后加工贸易占中国贸易的比例逐渐下降至近年的三成左右，机电、通信等高技术产品占中国出口的比例逐渐提升，凸显出中国制造正逐渐往高端制造业爬升。

中国在NAND flash存储芯片技术上仅仅数年时间就接近国际先进水平，对于中国制造业来说无疑是非常重大的技术进展，代表着中国制造在数十年的努力下终于形成高度完善的产业链，拥有了深厚的技术积累，厚积薄发，迅速突破，代表着中国制造向中国创造转变再上层楼。