这次没吹牛，国产内存芯片真的弯道超车，追上三星的水平了

4月13日，国产内存界发生了一件非常让人激动的事情，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。

这件事情为什么让人非常激动？因为128层堆叠的NAND闪存技术，是当前NAND闪存领域的最高水平，三星、SK海力士、美光也不过如此。

要知道在去年国内NAND领域最强水平还是长江存储的64层堆叠技术，而去年三星、SK海力士等已经进入了128堆叠技术，意味着国内NAND水平是落后他们两代的。

面对这种落后情况，当时主流声音是长江存储将会跳过96层堆叠技术，直接迈进128层堆叠技术，追上国际领先水平。

其依仗是长江存储2018年推出的突破性技术——Xtacking技术。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期，所以能够弯道超车，追上三星。

外媒：华为正逐步将公司设计芯片生产工作从台积电转移到中芯国际

鞭牛士 4月17日消息，据TechWeb消息，外媒报道，知情人士称，华为正逐步将公司内部设计芯片的生产工作，从台积电逐步转移到中芯国际来完成。知情人士称，华为旗下芯片部门，即海思半导体在2019年底开始指示部分工程师为中芯国际而非台积电设计芯片。知情人士

当时很多人认为这是吹牛，怎么可能弯道超车，只怕会“翻车”，如果车没有“翻”，是真正的超过了，因为长江存储推出的128层QLC 3D NAND闪存成功刷新了三项世界纪录。

这颗最新的X2-6070内存芯片，拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量。

2016年长江存储才正式开始起步，而今才过去三年多时间，便实现了从0到128层堆叠技术的跨越，不得不说这就是中国奇迹啊。

更重要的是，随着国产的128层堆叠的NAND闪存上市，意味着由美、日、韩国主层的在闪存市场上的定价权，要被中国打破了，同时中国厂商们或许也不再需要付出大量的美元来从国外采购内存芯片了。