“中国芯”成了！国产芯片巨头实现新突破，打破美日韩技术垄断

随着中国经济的迅猛发展和国力的不断提升，一些制约中国产业升级的行业和技术开始突显。科技日报曾经统计了35项“卡脖子”的关键技术，其中光刻机、芯片和操作系统名列前三。其实光刻机和芯片同属半导体领域，光刻机是制造芯片的关键设备。

众所周知，“缺芯少屏”一直是中国科技行业的两大心病。经过多年的潜心发展，以京东方、华星光电为代表的液晶面板企业打破了日韩等面板巨头的垄断，在液晶面板屏幕占据一席之地。然而自主芯片却一直没有得到解决，2018年的中兴事件和2019年华为被打压，让国人意识到国内在芯片领域与国外先进水平的巨大差距。没有核心技术就没有话语权，就要看别人的脸色。

其实国家层面早就注意到了半导体产业所面临的问题，早在2014年就出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》，为中国半导体产业的发展指明了方向和目标。在此背景下，一大批半导体项目和投资规划纷纷立项，其中就包括了被称为“芯片国家队”的紫光集团。

近日紫光集团旗下的长江存储突然宣布，其自主研发的128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，这是全球首款128层QLC闪存，并且已经在多家控制器厂商SSD等终端产品上通过验证。长江存储的这一成果具有里程碑式的意义，标志着中国半导体产业打破了美日韩在闪存市场的垄断和封锁。“中国芯”终于成了！

长江存储成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等共同投资。目前长江存储在全球共有5000多名员工，其中研发工程师大约2000人。长江存储成立后发展迅猛，2017年宣布成功研发首款国产32层3D NAND闪存芯片。2019年5月，长江存储又成功研发64层3D NAND闪存芯片。

高通首次为低功耗设备推NB2芯片组

4月17日消息，据外媒ZDNet报道，高通推出了一款单模式NB2（NB-IoT）芯片组，名为Qualcomm 212 LTE IoT调制解调器，首次专为低功耗设备和应用而设计，高通称之为“世界上最节能”的NB2芯片组。现阶段，高通正在加速布局物联网市场，已推出包括MDM9206芯片在内

然而长江存储虽然实现了国产3D NAND闪存芯片“0”的突破，但是与三星、海力士等国外芯片巨头还有着不小的差距，同期三星与海力士已经量产了128层3D NAND闪存。在此情况下，长江存储毅然决定跳过96层3D NAND闪存的研发，直接研发128层3D NAND闪存。经过大半年的努力，长江存储终于成功研发128层 3D NAND闪存。并计划于今年年底实现量产。

长江存储能够取得这样的成绩来之不易，能够帮助中国有力的打破国外技术封锁和产品供应“卡脖子”问题。我国每年的芯片进口额高达2万亿元，比石油的进口额还要大。其中以DRAM内存和3D NAND闪存为代表的存储芯片市场规模高达2000亿美元，而我国每年在这上面的进口额则达到1230亿美元。3D NAND闪存一般用于制造SSD硬盘，由三星、海力士、美光、东芝等美日韩巨头长期操纵。

为了打破国外巨头的封锁，长江存储累计投资240亿美元力争实现芯片自主化。长江存储在3D NAND闪存上的成功，像中兴、华为等国内通信龙头企业都是直接受益者。再也不用担心在3D NAND闪存上被外国厂商“卡脖子”，帮助华为打破老美的疯狂打压。

除了长江存储以外，目前还有合肥长鑫在DRAM内存上发力，力争打破国外技术的封锁。希望国产半导体行业早已达到世界领先水平，不再被外国巨头刁难。