前言：5nm、3nm 节点主要面向 FPGA等高性能计算领域，智能处理器和 5G 芯片。在接下来的两三年中，5G 将会被大规模使用。

台积电：最为积极和最早布局

很快台积电的 5nm 工艺即将量产，与此同时，台积电的 3nm 工艺也在持续推进当中。

去年 7 月，台积电就公开表示其 3nm 工艺的开发进展顺利，并且已经与早期客户就技术定义进行了接触。

近日，台积电正式披露了其最新 3nm 工艺的细节详情，其晶体管密度达到了惊人的 2.5 亿个 /mm²。

在性能提升方面，台积电 5nm 工艺相比 7nm 性能可提升 15%，能效比提升 30%，而 3nm 较 5nm 性能则可进一步提升 7%，能效比提升 15%。

台积电在评估多种选择后认为现行的 FinFET 工艺在成本及能效上更佳，所以 3nm 首发依然会是 FinFET 晶体管技术。

而台积电则表示，其 3nm 工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在 2021 年进入风险试产阶段，2022 年下半年量产。

3nm 是他们在 5nm 之后在芯片工艺上的一个完整的技术跨越，同第一代的 5nm 工艺（N5）相比，第一代的 3nm 工艺（N3）的晶体管密度将提升约 70%，速度提升 10%到 15%，芯片的性能提升 25%到 30%，3nm 工艺将进一步夯实他们未来在芯片工艺方面的领导地位。

台积电通过了 1,217.81 亿元资本预算，除升级先进制程产能外，也用于转换部分逻辑制程产能为特殊制程产能。

台积电预定今年度资本支出金额约 100 亿美元至 110 亿美元，其中 80%经费将用于 3 纳米、5 纳米及 7 纳米先进制程技术。

台积电预期，今年 7 纳米与第二代 7 纳米制程将贡献约 25%业绩。另外有 10%经费用于先进封装与光罩，10%用于特殊制程。

面对三星积极冲刺晶圆代工，并企图在 3 纳米制程超车台积电，台积电发言系统表示，不对竞争对手的技术发展做任何评论，并强调绝有信心在 7 纳米、5 纳米，甚至 3 纳米制程持续维持全球领先地位。

三星：在技术上的追赶和超越

三星同样押注 3nm 节点，进度及技术选择都很激进，三星将淘汰 FinFET 晶体管，直接使用 GAA 环绕栅极晶体管。

根据三星的信息，相较于 7nm FinFET 工艺，3nm 工艺可以减少 50%能耗、增加 30%性能。三星计划 2021 年量产，疫情影响已推迟到 2022 年，但没有明确具体时间。

去年，三星的 Foundry Forum 活动中强调了先进封装的重要性；今年，三星的 Foundry Forum 则将重点放在了先进制程的进度上。就此，我们也能够很明显地感受到，三星与台积电之间的竞争越发激烈。

前不久，三星也公布了未来的制程工艺路线图，公司计划今年推出 7nm EUV 工艺，明年有 5/4nm EUV 工艺，2020 年则会推出 3nm EUV 工艺，同时晶体管类型也会从 FinFET 转向 GAA 结构。

不过，根据最新的消息显示，受今年新冠疫情的影响，三星的 3nm 工艺的进度可能将推迟。

基于 GAA 的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用，例如移动、网络通讯、汽车电子、人工智能（AI）和 IoT 物联网等。

值得一提的是，三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为 GAA 技术的领头羊，三星究竟能否借由 3nm 工艺翻盘，还需要时间来证明。

三星在 10nm、7nm 及 5nm 节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的 7nm 芯片订单，三星只抢到 IBM、NVIDIA 及高通部分订单。

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不过三星已经把目标放在了未来的 3nm 工艺上，预计 2021 年量产，这个时间点要早于台积电。

英特尔：主流工艺反超 新战场保守

去年英特尔超越三星，夺回了全球半导体市场的一哥地位，过去 27 年以来英特尔在这个榜单上把持了 25 年之久。

再下一步，英特尔还要在半导体技术上追上来，其 7nm 工艺晶体管密度就接近台积电 3nm 工艺了，5nm 节点反超几乎是板上钉钉了。

在 10nm 走上正轨之后，英特尔宣布他们的半导体工艺发展将回到 2 年一个周期的路线上来，2021 年就会量产 7nm 工艺，首发高性能的 Xe 架构 GPU，2022 年会扩展到更多的 CPU 等产品中。

现在还没公布官方细节，不过英特尔从 22nm 工艺到 14nm 是 2.4x 缩放，14nm 到 10nm 是 2.7x 缩放，都超过了摩尔定律的 2x 工艺缩放水平。

英特尔 CEO 司睿博之前提到过 7nm 工艺会会到正常缩放，那至少是 2x 到 2.4x 缩放，意味着 7nm 工艺的晶体管密度将达到 2 亿 /mm2 到 2.4 亿 /mm2 之间。

这样看来，如果是 2.4 亿 /mm2 的水平，那英特尔的 7nm 工艺就能达到台积电 3nm 工艺的水平，保守一点 2 亿 /mm2 的话，那也非常接近了。

7nm 之后英特尔还会进入 5nm 节点，时间点会在 2023 年，按照英特尔的水平，至少也是 2x 缩放，那晶体管密度至少会达到 4 亿 /mm2，远远超过台积电的 3nm 工艺水平，台积电的 2nm 工艺在 2023 年之前应该没戏的。

目前的计算还是理论性的，但是只要英特尔的工艺路线重回正轨，先进工艺上追回来并不让人意外，台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。

7nm 之后是更先进的 5nm、3nm、2nm 和 1.4nm，其中 5nm、3nm 和 2nm 处在路线发现阶段，分别计划在 2023 年、2025 年和 2027 年采用，2029 年拟开始采用 1.4nm 工艺。

同时，英特尔或也将在 5nm 工艺阶段放弃 FinFET 晶体管，转向 GAA 环绕栅极晶体管。

其首席财务官也曾指出，英特尔要进行 10nm 量产、7nm 提速、5nm 投资，考虑到这部分技术交集主要集中在 2020~2021 年，也必然会影响到英特尔毛利率。

从流程路线图来看，英特尔将按照每两年一次主要节点更新的节奏进行。而 3nm，排到了 2025 年来实现。

决战 3nm 面临的挑战

①虽说现在台积电和三星的 7nm EUV 产品已经步入正轨，但当先进工艺推进到 3nm 之时，与之相关的 EUV 技术也将再次发生变化。

而这就涉及了 EUV 曝光技术的开发方面最重要的是 EUV 曝光设备的改良。

②EUV 掩膜、检测掩膜的缺陷以及光源功率等都将影响 EUV 技术在先进工艺上的使用。

③虽然台积电、三星以及英特尔都计划在 GAA 上有所投入，但在 3nm 初期阶段就采用新型晶体管，是否能够被市场接纳，也是值得厂商思考的事情。

④如果采用 GAA 工艺，则需要导入新材料，因此制程技术上相当困难，尤其是在蚀刻部分是大挑战。

⑤3nm 工艺节点的互连是芯片中的微小铜布线方案，它在每个节点上变得越发紧凑，造成芯片中不必要的 RC 延迟。

结尾

纵观全球半导体制程玩家，目前仅剩三足鼎立：英特尔、三星和台积电。而其中真正卯着劲在攻坚 3nm 的，其实只有三星和台积电两家而已。从市场份额来看，台积电暂时领先。